收藏本站
Si5513CDC
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.30
I D = - 2.4 A
0.24
10
0.1 8
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.12
0.06
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
60
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on)*
1
100 μs
1 ms
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
9
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5853CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SI5853DDC-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
SI5857DU-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET
SI5858DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5903DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5513CDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI5513DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5515CDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI5515CDC_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET